美國AOS公司2016年5月31日推出8款用于便攜式電子產(chǎn)品快速充電器的+60V耐壓MOSFET。新產(chǎn)品為n溝道型，還可用作反激式轉換器的同步整流用MOSFET。采用AOS自主開發(fā)的“溝槽型功率AlphaSGT技術”制造。

AOS公司介紹稱，“目前，便攜終端用充電器都要求提高輸出功率。業(yè)界通過提高輸出電壓和增加輸出電流的方法應對”。此次的MOSFET面向后者——以低電壓大電流充電的方法進行了優(yōu)化。也就是說，削減了柵極驅動電壓較低時的導通電阻。新產(chǎn)品各型號的導通電阻（柵-源間電壓為+4.5V時）只有6.3m～13.5mΩ（最大值）。封裝有8端子SOP、DFN5×6、DFN3×3三種。

8款產(chǎn)品的特性如下：

AO4268為8端子SOP封裝品，導通電阻為6.5mΩ（柵-源間電壓為+4.5V時的最大值，下同），輸入電容為2500pF，輸出電容為670pF，反饋電容為65pF；

AO6262E為8端子SOP封裝品，導通電阻為8.5mΩ，輸入電容為1650pF，輸出電容為520pF，反饋電容為52pF；

AO6264E為8端子SOP封裝品，導通電阻為13.5mΩ，輸入電容為1100pF，輸出電容為300pF，反饋電容為28pF；

AO6268為DFN5×6封裝品，導通電阻為6.3mΩ，輸入電容為2520pF，輸出電容為670pF，反饋電容為65pF；

AO6262E為DFN5×6封裝品，導通電阻為8.5mΩ，輸入電容為1650pF，輸出電容為520pF，反饋電容為52pF；

AO6264E為DFN5×6封裝品，導通電阻為13.3mΩ，輸入電容為1100pF，輸出電容為300pF，反饋電容為28pF；

AO7262E為DFN3×3封裝品，導通電阻為8.5mΩ，輸入電容為1652pF，輸出電容為520pF，反饋電容為52pF；

AO7264E為DFN3×3封裝品，導通電阻為13.3mΩ，輸入電容為1100pF，輸出電容為300pF，反饋電容為28pF。

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