萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體（AOS）推出AOC3862，這是一顆具用超低內(nèi)阻的共漏雙N溝道的12V MOSFET（在4.5V驅(qū)動(dòng)電壓的情況下RSS典型值為2.38mOhm）該產(chǎn)品提供最佳的源-源電阻（Rsson），為電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)更低的壓降和溫升的電池保護(hù)模塊成為可能。

AlphaDFN™ 系列MOS提供背面保護(hù),其可以有效的提高小封裝在PCB貼片的可靠性和安全性。AOC3862特別適合于高容量電池組，這幾乎適用所有的新型智能手機(jī)。

在過(guò)去的兩年里，在智能手機(jī)電池組的設(shè)計(jì)中，兩個(gè)技術(shù)因素完全改變了保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。首先，采用更高的充電電流，這可以極大的縮短了電池的充電時(shí)間。第二，設(shè)計(jì)師們正在利用盡可能多的空間，以盡可能的提高電池容量。這些因素決定了在有效的空間內(nèi)盡可能控制溫升在最低水平對(duì)設(shè)計(jì)師提出了額外的挑戰(zhàn)。AOC3862具有非常低的RSS，在驅(qū)電壓在4.5V驅(qū)動(dòng)情況下RSS 典型值為 2.38mOhm, 3.8V 驅(qū)動(dòng)情況下 RSS為 2.5mohm，這是通過(guò)減小溝道電阻和分布電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)的。這顆器件提供的封裝是AlphaDFN 3.55X1.77mm。該封裝技術(shù)進(jìn)一步提高了功耗，同時(shí)有效的提高表面貼裝的易用性并對(duì)芯片提供更好的保護(hù)。

AOS MOSFET產(chǎn)品線資深市場(chǎng)總監(jiān)馮雷提到：“保持電池組中的低溫是延長(zhǎng)電池壽命和更安全的操作的關(guān)鍵。一個(gè)電池保護(hù)板被限制在一個(gè)非常有限的電池組空間內(nèi)，所以散熱總是一個(gè)大的問(wèn)題。AOC3862被設(shè)計(jì)為一個(gè)超低的RSS產(chǎn)品。該產(chǎn)品為設(shè)計(jì)師在考慮如何把熱量散出去的時(shí)，提供一個(gè)從根源上減小熱產(chǎn)生的方式，從而實(shí)現(xiàn)最小溫升。”

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