功率半導體及芯片供應商萬國半導體AOS推出的AOZ5006是一個高效率的6mm×6mm功率MOSFET模塊，完全兼容英特爾的DrMOS規(guī)范。它也集成了一個雙柵極驅(qū)動器和高低側(cè)MOSFET，以提供一個高效率的DC-DC同步降壓功率級。它可用來實現(xiàn)高功率密度的降壓解決方案，適合于服務器、圖形卡和高端臺式PC應用市場。

AOZ5006采用了AOS專有的最新溝道MOSFET技術來在開關和導通損耗之間實現(xiàn)一個最佳的平衡。與此同時，它還利用AOS先進的封裝技術來進一步改善效率和熱性能。在一個典型的開關頻率為300KHz的12V輸入到1.2V輸出應用中，它允許在21A輸出時達到超過90%的效率。與TI的NexFET模塊性能相當接近。

“AOZ5006可滿足高端計算應用不斷上升的功率密度要求，而且整個解決方案的尺寸與分立解決方案相比可減小三分之二。”AOS功率IC產(chǎn)品部產(chǎn)品營銷總監(jiān)Song Qu說，“此外，柵極驅(qū)動器和MOSFET之間的寄生電感也降到了最小，從而允許高達1MHz的開關頻率和更快的動態(tài)響應時間。”

AOZ5006可與廣泛的模擬和數(shù)字PWM控制器一起工作，采用QFN封裝，外形尺寸為6×6mm。

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